"낸드 전쟁의 승자는 누구?"SK하이닉스 vs 삼성, 모바일 메모리 기술 경쟁의 모든 것

한때 D램에 가려 조용히 취급되던 낸드 메모리.
하지만 이제 AI 스마트폰 시대가 열리면서, '저장장치'가 곧 성능이라는 인식이 강해지고 있다.
그리고 이 전장 한복판에서 맞붙은 두 국내 반도체 거인, SK하이닉스와 삼성전자.

특히 SK하이닉스가 최근 공개한 321단 4D 낸드와 UFS 4.1 모바일 솔루션은 이 구도를 뒤흔들 변수로 주목받고 있다.
과연 누가 더 앞서가고 있고, 향후 AI폰 시장에서 누가 주도권을 쥘까?

SK하이닉스, '4D 낸드'로 반격 시작

SK하이닉스는 2024년 말, 업계 최초로 321단 4D 낸드를 공개하며 시장의 시선을 사로잡았다.
기존 176단에서 단숨에 300단을 넘긴 이 구조는 단순히 '층수'가 많아졌다는 의미가 아니다.

▶ 기술 핵심 요약:

항목	내용
공정 기술	4D 낸드 (PUC: 주변회로 하단 배치)
단수	321단 (업계 최고)
장점	칩 면적 감소, 저장밀도 증가, IO 성능 개선
기반 제품	UFS 4.1 모바일용 낸드, 차세대 SSD 등

 

이 기술은 단가와 전력 효율 측면에서도 장점이 있어,
온디바이스 AI, 플래그십 스마트폰, 고성능 노트북 등 다양한 고급 시장을 정조준하고 있다.

삼성전자, '236단 V낸드'의 강자

삼성전자는 낸드 시장의 오랜 1위답게 V낸드(V-NAND)로 안정적인 기술 리더십을 이어오고 있다.
2024년 기준 양산 중인 V9 236단 낸드는 높은 수율과 우수한 전력 효율을 기반으로,
갤럭시 플래그십 라인업에 안정적으로 탑재되고 있다.

▶  삼성 낸드의 주요 강점:

• 자체 AP·RAM·낸드 연동 최적화
• 글로벌 모바일 브랜드와의 긴밀한 공급망
• UFS 4.0 시장에서의 선제적 점유율 확보

단수 기준으론 하이닉스보다 낮지만, 수율 안정성과 파운드리-모바일칩 연계 전략에서 강력한 경쟁력을 유지하고 있다.

SK vs 삼성, 핵심 경쟁 포인트는?

비교 항목	SK하이닉스	삼성전자
단수	321단 (4D 낸드)	236단 (V낸드)
공정 혁신성	PUC 기반 4D 구조	층 적층 최적화
모바일 메모리 인터페이스	UFS 4.1	UFS 4.0
AI폰 대응 전략	고성능·고속 IO 중심	안정성·공급력 중심
양산 시점	2025 상반기 본격화	이미 양산 중

 

SK하이닉스는 기술적 우위, 삼성전자는 생태계와 브랜드 우위라는 강점을 보인다.
결국 싸움의 핵심은 누가 먼저 ‘AI폰에 최적화된 낸드’를 대량 공급할 수 있는가에 달려 있다.

낸드는 더 이상 조연이 아니다

AI가 폰 속으로 들어온 지금, 메모리는 단순 저장공간이 아니라 실시간 연산의 핵심 요소로 자리 잡고 있다.
하이닉스와 삼성은 이제 누가 더 고성능·저전력·고집적 낸드를 먼저 확보하고 시장에 공급하느냐를 놓고 정면 승부에 돌입했다.

그리고 이 싸움은 단순히 둘 중 하나의 문제가 아니다.
한국 반도체가 글로벌 모바일 시장에서 다시 한 번 기술 우위를 증명할 수 있느냐의 문제다.